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碳化硅单片外延炉SCML320A
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碳化硅单片外延炉SCML320A

所属分类:

应用领域:主要用于6/8inch SiC衬底同质外延生长,设备同时具有两种掺杂类型设计,可以实现N/P两种外延产品类型的生长。

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产品描述

参数项目

技术指标

设备型号

SCML320A

设备尺寸

4650*1450*2690mm

生长速率

≥60um/h

背景浓度

≤1E+14cm+3

膜厚生长

1~100μm

温控精度

±0.1℃

缺陷

<0.2cm-2

掺杂均匀性

<2.0%

膜厚均匀性

<1.0%

粗糙度

<0.2nm

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